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[반도체] Lone Star Silicon Innovations, LLC v. Semiconductor Manufacturing International Corp. 간의 특허 분쟁
Lone Star Silicon Innovations, LLC v. Semiconductor Manufacturing International Corp.
발생일자 2017.07.14 사건번호 3:17-cv-03980 
법원국가 UNITED STATES OF AMERICA
관할법원명 D.C.N.D.California(지방법원)
침해권리 특허
원고명 Lone Star Silicon Innovations, LLC ( 미국 / NPE )
피고명 Semiconductor Manufacturing International Corp. / SMIC Americas/ Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corp. / Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corp. ( 중국 / 외국기업 )
소송유형 침해금지
분쟁내용 [Lone Star Silicon Innovations, LLC v. Semiconductor Manufacturing International Corp. et al] 사건번호 3:17-cv-03980에 따르면 원고 Lone Star Silicon Innovations, LLC는 피고 Semiconductor Manufacturing International Corp./ SMIC Americas/ Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corp./ Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corp.을(를) 상대로 특허 US5973372|US6103611|US6388330을(를) 침해하였다는 이유로 미국 캘리포니아 북부 지방법원에 소를 제기하였다.
분쟁경과 진행중
산업분류 전기전자 > 반도체
계쟁제품 PolySiON(PS) 및 게이트-마지막 고전기 금속 게이트(HKMG) 플랫폼 - 집적 회로 장치 [PolySiON (PS) and gate-last high-k dielectrics metal gate (HKMG) platforms - Integrated circuit devices]
지재권번호/명칭 US5973372 Silicided shallow junction transistor formation and structure with high and low breakdown voltages  
US6103611 Methods and arrangements for improved spacer formation within a semiconductor device  
US6388330 Low dielectric constant etch stop layers in integrated circuit interconnects  
등록일 : 2017-07-20

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