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[화학공학기술] 히타치국제전기 v. ASM International N.V. 간의 특허 분쟁
Hitachi Kokusai Electric, Inc. v. ASM International N.V.
발생일자 2017.12.01 사건번호 3:17-cv-06880 
법원국가 UNITED STATES OF AMERICA
관할법원명 D.C.N.D.California(지방법원)
침해권리 특허
원고명 Hitachi Kokusai Electric, Inc. ( 일본 / 외국기업 )
피고명 ASM International N.V. / ASM America, Inc. ( 네덜란드 / 외국기업 )
소송유형 침해금지
분쟁내용 [Hitachi Kokusai Electric, Inc. v. ASM International N.V. et al] 사건번호 3:17-cv-06880에 따르면 원고 Hitachi Kokusai Electric, Inc.는 피고 ASM International N.V./ ASM America, Inc.을(를) 상대로 특허 USRE43023|US6576063|US6744018|US7033937|US7808396|US8409988|US9318316을(를) 침해하였다는 이유로 미국 캘리포니아 북부 지방법원에 소를 제기하였다.
분쟁경과 진행중
산업분류 화학∙바이오 > 화학공학기술
계쟁제품 Pulsar XP ALD 시스템, EmerALD XP ALD 시스템, XP8 시스템, A412 배치 수직 고로 시스템, A400 배치 수직 고로 시스템, Intrepid XP 상피 제품, Epsilon 2000 단일 웨이퍼 상피 시스템 - 웨이퍼 상피싱 시스템 - 반도체 공정 장비 [Pulsar XP ALD system, EmerALD XP ALD system, XP8 system, A412 batch vertical furnace system, A400 batch vertical furnace system, Intrepid XP epitaxy product, Epsilon 2000 single wafer epitaxy system, and Epsilon 3200 single wafer epitaxy system - semiconductor process equipment for wafer processing]
지재권번호/명칭 USRE43023 Dual loading port semiconductor processing equipment  
US6576063 Apparatus and method for use in manufacturing a semiconductor device  
US6744018 Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device  
US7033937 Apparatus and method for use in manufacturing a semiconductor device  
US7808396 Substrate processing apparatus  
US8409988 Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus  
US9318316 Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate and substrate processing apparatus for forming thin film containing at least two different elements  
등록일 : 2017-12-08

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