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[반도체] North Plate Semiconductor, LLC 대 Diodes, Inc. 간의 특허 분쟁
North Plate Semiconductor, LLC v. Diodes, Inc.
발생일자 2017.11.21
사건번호 4:17-cv-00816
법원국가 UNITED STATES OF AMERICA
관할법원명 D.C.E.D.Texas(지방법원)
침해권리 특허
원고명 North Plate Semiconductor, LLC ( North Plate Semiconductor, LLC / 미국 / 외국기업 )
피고명 Diodes, Inc. ( Diodes, Inc. / 미국 / 외국기업 )
소송유형 침해금지
분쟁내용 [North Plate Semiconductor, LLC v. Diodes, Inc.] 사건번호 4:17-cv-00816에 따르면 원고 North Plate Semiconductor, LLC는 피고 Diodes, Inc.을(를) 상대로 특허 US6469398|US6501129|US6627499|US6667515|US7564097|US7700998|US8173509을(를) 침해하였다는 이유로 미국 텍사스 동부 지방법원에 소를 제기하였다.
분쟁경과 분쟁중
산업분류 전기전자 > 반도체
계쟁제품 Trench MOSFETs, DIOFETs, LED Drivers with Internal MOSFET, and all Discrete Semiconductors with POWERDI packaging families of power semiconductor devices
지재권번호/명칭 US6469398 Semiconductor package and manufacturing method thereof
US6501129 Semiconductor device
US6627499 Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6667515 High breakdown voltage semiconductor device
US7564097 Trench-gated MOSFET including schottky diode therein
US7700998 Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8173509 Semiconductor device and method for manufacturing the same
등록일 : 2017-11-30

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