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[반도체] Dr. Uri Cohen 대 TSMC North America Corp./ Huawei Technologies Co. Ltd./ Futurewei Technologies, Inc./ Taiwan Semiconductor Manufacturing Company LTD/ Huawei Device USA, Inc./ Apple, Inc./ Huawei Device Co. Ltd./ HUAWEI DEVICE (DONGGUAN) CO. LTD./ HiSilicon Technologies Co. Ltd. 간의 특허 분쟁
등록일 : 2017-11-15
Dr. Uri Cohen v. TSMC North America Corp./ Huawei Technologies Co. Ltd./ Futurewei Technologies, Inc./ Taiwan Semiconductor Manufacturing Company LTD/ Huawei Device USA, Inc./ Apple, Inc./ Huawei Device Co. Ltd./ HUAWEI DEVICE (DONGGUAN) CO. LTD./ HiSilicon Technologies Co. Ltd.
발생일자 2017.11.06
사건번호 3:17-cv-06451
법원국가 UNITED STATES OF AMERICA
관할법원명 D.C.N.D.California(지방법원)
침해권리 특허
원고명 Dr. Uri Cohen ( Dr. Uri Cohen / 미국 / 외국기업 )
피고명 TSMC North America Corp./ Huawei Technologies Co. Ltd./ Futurewei Technologies, Inc./ Taiwan Semiconductor Manufacturing Company LTD/ Huawei Device USA, Inc./ Apple, Inc./ Huawei Device Co. Ltd./ HUAWEI DEVICE (DONGGUAN) CO. LTD./ HiSilicon Technologies Co. Ltd. ( TSMC North America Corp./ Huawei Technologies Co. Ltd./ Futurewei Technologies, Inc./ Taiwan Semiconductor Manufacturing Company LTD/ Huawei Device USA, Inc./ Apple, Inc./ Huawei Device Co. Ltd./ HUAWEI DEVICE (DONGGUAN) CO. LTD./ HiSilicon Technologies Co. Ltd. / 대만 / 외국기업 )
소송유형 침해금지
분쟁내용 [Dr. Uri Cohen v. TSMC North America Corp. et al] 사건번호 3:17-cv-06451에 따르면 원고 Dr. Uri Cohen는 피고 TSMC North America Corp./ Huawei Technologies Co. Ltd./ Futurewei Technologies, Inc./ Taiwan Semiconductor Manufacturing Company LTD/ Huawei Device USA, Inc./ Apple, Inc./ Huawei Device Co. Ltd./ HUAWEI DEVICE (DONGGUAN) CO. LTD./ HiSilicon Technologies Co. Ltd.을(를) 상대로 특허 US6518668|US6924226|US7199052|US7282445을(를) 침해하였다는 이유로 미국 캘리포니아 북부 지방법원에 소를 제기하였다.
분쟁경과 분쟁중
산업분류 전기전자 > 반도체
계쟁제품 Huawei Chips, Apple Chips, and Other 16nm and 20nm Chips
지재권번호/명칭 US6518668 Multiple seed layers for metallic interconnects
US6924226 Methods for making multiple seed layers for metallic interconnects
US7199052 Seed layers for metallic interconnects
US7282445 Multiple seed layers for interconnects

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